朱志甫 副教授/博士
发布人:机电学院  发布时间:2019-10-22   浏览次数:30



  1. 导师简介

朱志甫,男,博士后,西部之光高级访问学者,中科院客座教授。目前从事电子科学与技术的教学及科研工作,主讲硅基集成电路制造工艺、模拟CMOS集成电路设计和集成电路版图设计等课程。主要研究方向是辐射探测材料与器件、先进发光材料与器件、射线工业自动化检测应用研究。主持国家自然科学基金项目1项,省自然科学基金1项,教育厅项目1项,省部级项目4项,参与国家自然学科基金3项。发表SCI论文10余篇,其中SCI二区2篇,获批发明专利2项,实用新型专利3项。参与中广核贝谷科技股份有限公司校企合作 “辐射探测仪器及装置产业化”项目。目前,本人负责研制的Si-PIN探测器的性能指标已经达到国外同类产品,与中科院高能所陈元柏和孙志嘉老师课题组开展金刚石探测器和SDD探测器的研制,与东莞电子科技公司合作开发X射线在线检测PCB板仪器。

联系方式:okhere2008@126.com; qq:43812057

  1. 工作经历

 2008.05 –  至今东华理工大学

 2008.05 –  2013.03      中广核贝谷科技股份有限公司

 2018.01 –  2020.12      博士后中广核贝谷科技股份有限公司

 2019.09 –  2021.10      中科院(西部之光高级访问学者)

  1. 主要科研项目

 [1]  国家自然基金项目:基于10BN/GaN异质结的直接探测中子探测器研究(61964001),主持

 [2]江西省教育厅项目:MOCVD法制备GaNα粒子探测器及其性能研究(GJJ14501),主持

 [3] 江西省自然科学基金项目:基于核反应的直接探测10BN/GaN中子探测器的研究20192BAB207033),主持

 [4] 江西省人力资源与社会保障厅项目:基于10BN/GaN直接探测中子探测器的研究(2018KY31),主持

 [5 ]核探测与核电子学国家重点实验室:新型高效直接探测10BN/GaN中子探测器的制备及研究(SKLPDE-KF-201910),主持

  1. 发表论文及专利

  1. Zhifu Zhu, Guotong Du, Hongwei Liang, et al. Characterization of interface state density of Ni/p-GaN structures by capacitance/conductance–voltage–frequency measurements [J]. Chinese physics letter. 2017.8(SCI检索)

  2. Zhifu Zhu, Guotong Du, Hongwei Liang, et al. High-temperature performances of galliμm-nitride-based pin alpha-particle detectors grown on sapphire substrates [J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Detectors, Spectrometers. 2018.3(SCI检索,二区)

  3. Zhifu Zhu, Jijun Zou, Bin Tang, Hongwei Liang, et al. Effects of 10 MeV high electron irradiation on performances of GaN-based pin alpha-particle detectors grown on sapphire substrates [J]. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section A: Detectors, Spectrometers. 2018.3(SCI检索,二区)

  4. 朱志甫,汤彬,邹继军等.一种p-GaN/i-GaN/n-BN中子探测器,发明专利

  5. 汤彬,朱志甫,邹继军等.一种变掺杂变组分的AlGaNGaN中子探测器,发明专利

  6. 朱志甫,汤彬,邹继军等.一种GaN带电粒子核辐射探测谱仪,实用新型专利

  7. 朱志甫,邹继军,汤彬等.一种大面积厚膜6LiF中子转换层制备方法,发明专利

  8. 黄河,邹继军,朱志甫.一种室温下工作的GaN核辐射探测器,实用新型专利